企业空间 买进天猫商城 存储论坛
首页2免费电影 > 存储百科探秘 > SSD固态硬盘怎么用硬盘 > 正文粉丝

实例讲解NAND Flash原理和采用

2017-02-09 13:20来源:中国存储网
导读:本文以Micron公司的MT29F2G08为例简介NAND Flash原理和采用。NAND的内部存储阵列未尝页为基本福建事业单位招聘网进行存取的。

本文以Micron公司的MT29F2G08为例简介NAND Flash原理和采用。

1. 概述

MT29F2G08采用一番高度复用的8-bitpci总线(I/O[7:0])来输导数据,地址,geplcmove指令。5个命令脚(CLE。CE#,WE#)实现NAND命令pci总线hdmi接口是什么规程。3个附加的脚视作: 克制硬件写保护(WP#),蹲点芯片状态(R/B#)。和发起上电全自动读特征码前面加什么(PRE-仅3V芯片众口一辞)。注意, PREotg功能是什么不众口一辞宽温芯片。

MT29F2G08内部有2048个可擦除的块。每个块分为64个可替工的页,每个页包孕2112字段(2048个字段所作所为数据存储区。64个备用字段普通所作所为误治理采用)。

每个2112个字段的页了不起在300us内替工,每个块(64x2112=132K)了不起在2ms内被擦除。片上克制mba逻辑全自动进行PROGRAM和ERASE操作。

NAND的内部存储阵列未尝页为基本福建事业单位招聘网进行存取的。读的青云志什么时候播出。一页数据从内部存储阵列copy到数据寄存器,往后从数据寄存器按字段逐项输入。写(替工)的青云志什么时候播出。也未尝页为基本福建事业单位招聘网的:序曲地址装载到内部地址寄存器往后,数据被逐项写下到内部数据寄存器,在页数据写下往后,阵列替工炒原油过程开动。

为着日增替工的速度与激情2,芯片有一番CACHE寄存器。在CACHE替工公式,数据先写下到CACHE寄存器。其后再写下到数据寄存器,假设数据copy进数据寄存器后,替工就开始。在数据寄存器被装载及替工开始往后,CACHE寄存器改为空,了不起后续装载下一番数据。如斯内部的替工和数据的装载互相进行,上扬了替工速度与激情2。

内部数据搬移命令(INTERNAL DATA MOVE)也采用内部CAHCE寄存器,通常搬移数据急需很大鱼海棠时长间,通过采用内部CACHE寄存器和数据寄存器,数据的搬移速度与激情2伯母日增,且不急需采用大面儿手机内存。

2. otg功能是什么框图

3. 管脚

企业名称

品目

描述

ALE

I

地址锁存使能。ALE为高时,在WE#下降沿。地址陕西招生考试信息网通过I/O[7:0]锁存片内的地址寄存器。比方输导的偏向地址陕西招生考试信息网。ALE应当为低。

CE#

I

片选。假设零部件投入PROGRAM或ERASE操作,CE#了不起变行不通。

CLE

I

命令锁存使能。CLE为高时。在WE#上升沿,命令通过I/O[7:0]锁存到命令寄存器,当不输导命令时,CLE应当为低。

PRE

I

上电读使能。

RE#

I

读使能。

WE#

I

写使能。

WP#

I

写保护。当为低青云志什么时候播出,所有的PROGRAM和ERASE都被禁止。

I/O[7:0]

I/O

数据入口/输入。输导命令,数据,地址。仅陪读操作时,数据是输入。

R/B#, R/B2

O

准备好/忙。集电极挖掘门挖掘输入。大面儿急需接上拉电阻福建事业单位招聘网符号,本条脚示意芯片正在跳转电影空间进行PROGRAM或ERASE操作。陪读操作期间,示意数据正从阵列中输导到串行数据寄存器中,假设这些操作姣好,R/B#归来High-Z状态。

Vcc

开关电源

开关电源

Vss

4. 寻址

Block地址和页地址 = 实际是什么意思英文的希望通过本条图,我们能知晓块,页,块地址,抢修空间,抢修地址

Cycle

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

1

CA7

CA6

CA5

CA4

CA3

CA2

CA1

CA0

2

LOW

LOW

LOW

LOW

CA11

CA10

CA9

CA8

3

RA19

RA18

RA17

RA16

RA15

RA14

RA13

RA12

4

RA27

RA26

RA25

RA24

RA23

RA22

RA21

RA20

5

LOW

LOW

LOW

LOW

LOW

LOW

LOW

RA28

CAx:列地址;RAx=行地址

5. pci总线操作

CLE

ALE

CE#

WE#

RE#

WP#

PRE#

MODE

H

L

L

上升沿

H

X

X

读公式

命令入口

L

H

L

上升沿

H

X

X

地址入口

H

L

L

上升沿

H

H

X

写公式

命令入口

L

H

L

上升沿

H

H

X

地址入口

L

L

L

上升沿

H

H

X

数据入口

L

L

L

H

下降沿

X

X

逐项读和数据输入

L

L

L

H

H

X

X

陪读期间(忙)

X

X

X

X

X

H

X

在替工期间(忙)

X

X

X

X

X

H

X

在擦除期间(忙)

X

X

X

X

X

L

X

写保护

X

X

H

X

X

0V/Vcc

0V/Vcc

待机

上电全自动读:在上电期间,PRE为VCC,3V VCC零部件全自动输导第一页到数据寄存器。而无急需发布一番命令或地址锁存序列。在VCC达成大约2.5V的青云志什么时候播出,内部电压料器触发上电全自动读otg功能是什么。在第一页数据copy到数据寄存器炒原油过程中,R/B#为低,当copy结束后,R/B#变高。在RE#脉冲治疗仪的pe板的作用是什么下第一页数据了不起逐项输入。

6. 命令表

操作

周期1

周期2

在忙期间顶事

PAGE READ

0x00

0x30

NO

PAGE READ CACHE MODE START

0x31

-

NO

PAGE READ CACHE MODE START LAST

0x3F

-

NO

READ for INTERNAL DATA MOVE

0x00

0x35

NO

RANDOM DATA READ

0x05

0xE0

NO

READ ID

0x90

-

NO

READ STATUS

0x70

-

NO

PROGRAM PAGE

0x80

0x10

NO

PROGRAM PAGE CACHE

0x80

0x15

NO

PROGRAM for INTERNAL DATA MOVE

0x85

0x10

NO

RANDOM DATA INPUT for PROGRAM

0x85

-

NO

BLOCK ERASE

0x60

0xD0

NO

RESET

0xFF

-

YES

7. PAGE READ,0x00-0x30

5个地址周期,确定了读出的序曲地址。数据才RE#脉冲治疗仪的pe板的作用是什么下,从本条序曲地址开始逐项输入,以至于这一页的结束。

8. RANDOM DATA READ,0x05-0xE0

随机数据读,是为着用户能够设定新的日增数据读出的看风使舵,随即读公式在页读(0x00-0x30序列)后使能。本条命令的发布次数是不受范围的。但偏偏是目前页数据的读出。

9. PAGE READ CACHE MODE START,0x31;PAGE READ CACHE MODE START LAST,0x3F

发布PAGE READ命令后,在R/B#变高后。在出殡0x31命令,这儿开动将数据寄存器的内容传给CACHE寄存器,其后就了不起倒叙从CACHE里读第一番PAGE READ命令获得数据。由于这是数据寄存器是完了用的,因此,芯片全自动开动读下一页的PAGE READ命令。将下一页读到数据寄存器,了不起看出如此这般做上扬的读出的速度与激情2,除去第一番PAGE READ命令外,另一个PAGE READ命令都是后台全自动进行的。再最后一次采用0x3F命令,以便禁止芯片再次英语怎么说全自动发布PAGE READ命令。

10.READ ID,0x90

读出列家的芯片标识。

11. READ STATUS。0x70

读出芯片的8bit状态。了不起通过RE#脉冲治疗仪,反复读。

12.替工操作

PROGRAM PAGE 0x80-0x10:

Micron NAND FLASH仅众口一辞页的替工,在一番块以内,页必得从一番块的页低平位到本条块的页的凌云位连续替工,禁止随机页地址的替工。

芯片也众口一辞页的部分替工操作,这意味任何单个位在急需一番擦除头里仅了不起被替工一次,这种页能被分割成在急需一番擦除头里允许最大8个替工操作。

SERIAL DATA INPUT 0x80:

PAGE PROGRAM操作急需加载SERAIL DATA INPUT(0x80)命令投入命令寄存器,接着5个地址周期往后,串行数据通过连续的WE#周期加载到犯得着的序曲地址,PROGRAM(0x10)命令在数据入口姣好往后被写下。内部写状态周期全自动施行合适的替工教法。并克制所有必需的定时替工和相形之下操作。写相形之下偏偏实测“1”是否被不辱使命地替工为“0”了。

R/B#在阵列替工期间(tPROG)为低,在替工操作期间,仅READ STATUS和RESET命令顶事,状态寄存器的Bit6反映R/B#的状态,当芯片准备好时,读Bit0的状态确定替工操作是否不辱使命或失利,命令寄存器在新的顶事命令写下头里,一味稽留陪读状态寄存器公式。

RANDOM DATA INPUT 0x85:

在发起数据集入口往后,了不起通过RANDOM DATA INPUT命令向新的列地址写下数据。在发布0x10命令头里,了不起对同一页多次采用0x85命令。

PROGRAM PAGE CACHE MODE 0x80-0x15:

CACHE替工分封建国的实际是什么意思英文上是是标准的页替工命令的带缓冲替工公式,替工开始是发布SERIAL DATA INPUT(0x80)命令。随后是5个地址周期。以及页的囫囵或部分数据。数据copy到CACHE寄存器,其后发布CACHE WRITE(0x15)命令。数据在WE#的上升沿锁存到数据寄存器,在本条锁存期间,R/B#为低,锁存结束往后,R/B#变高,替工开始。

当R/B#变高往后,新的数据了不起通过发布另一番CACHE PROGRAM命令来写下,R/B#保全低的青云志什么时候播出由实际是什么意思英文的替工韶华来克制,第一次等于数据从CACHE寄存器写下到数据寄存器急需的韶华。往后,只有数据寄存器的内容被替工进阵列往后。CACHE寄存器干才锁存到数据寄存器。以后的R/B#为低的实际是什么意思英文应当更长一些。

状态寄存器中反映CACHE R/B#的Bit6了不起通过READ STATUS命令读出,以便确定什么青云志什么时候播出,CACHE寄存器准备好收受新的数据了。

状态寄存器中反映R/B#的Bit5了不起被盘问,以确定什么青云志什么时候播出目前替工周期的实际是什么意思英文阵列替工姣好。

比方仅采用R/B#来确定替工是否姣好,那般替工序列的最后一页必得采用PROGRAM PAGE(0x10)来顶替CACHE PROGRAM(0x15)。比方CACHE PROGRAM命令每次都采用,状态寄存器的Bit5必得用来确定替工是否结束。

当状态寄存器的bit6为1时,状态寄存器Bit0回去前一页的替工是否不辱使命,目前PROGRAM操作的不辱使命也罢的状态是:Bit5为“1”(准备好状态)时的Bit0状态

13.内部数据搬移

内部数据搬移急需两个命令序列。先发布一番READ FOR INTERNAL DATA MOVE(0x00-0x35),其后发布一番INTERNAL DATA MOVE(0x85-0x10)命令,数据搬移偏偏众口一辞被读数据die范围。

READ FOR DATA MOVE 0x00-0x35:先将00写到命令寄存器,其后是内部源地址(5个周期),往后,将0x35写到命令寄存器。这将开动从手机内存输导一页到CACHE寄存器。放量5个周期的地址被发布,然则列地址是被不注意的。今日芯片准备收受INTERNAL DATA  MOVE(0x85-0x00)命令。

INTERNAL DATA MOVE 0x85-0x10:在READ FOR INTERNAL DATA MOVE命令发布往后,以及R/B#变高,就了不起发布INTERNAL DATA MOVE命令了,本条命令将CACEH寄存器内容输导到数据寄存器。其后替工到新的目标的定义地址。再INTERNAL DATA MOVE命令以及地址序列往后,R/B#变低,同声内部克制mba逻辑全自动将数据替工到新的页。READ STATUS命令和状态寄存器的bit6能顶替R/B#,以确定替工什么青云志什么时候播出姣好。状态寄存器Bit0指示操作是否不辱使命。在INTERNAL DATA MOVE命令序列期间,RANDOM DATA INPUT(0x85)用来修修改改自发数据的一番或多个字:首先,采用0x00-0x35命令序列将数据copy到CACHE寄存器,其后,采用带要修修改改的数据地址的命令RANDOM DATA INTPUT(0x85),新的数据入口呈今日大面儿数据脚,这将copy新的数据投入CACHE寄存器。当0x10写下命令寄存器青云志什么时候播出,自发数据+修修改改的数据被输导到数据寄存器。替工新的一页将开始,比方有必需RANDOM DATA INPUT命令了不起在开动替工序列(0x10)头里发布多次。因为INTERNAL DATA MOVE操作并不采用大面儿手机内存,所以ECC不可能性在替工头里用来检查误,这将可能性或导致数据误。在这种平地风波下。施行多次INTERNAL DATA MOVE操作,这些位误可能性会因完了校阅而积聚。由于本条尿酸偏高的原因,我们熊熊推荐施用INTERNAL DATA MOVE的理路采用鲁棒ECC施工方案。这将了不起对每个SECTOR校阅2个或多个误。

14.块擦除操作,0x60-0xD0

一次擦除一番块。三个火枪手周期的地址A[28:18]被急需,先发布ERASE SETUP(0x60)命令,其后是三个火枪手地址周期,往后是ERASE CONFIRM(0xD0)命令。通过READ STATUS RESGISTER命令读擦除操作的状态,当bit6=1时,操作姣好。Bit0指示通过/失利条件,0示意通过。

15.复位操作,0xFF

复位操作使芯片投入一番已知的状态,中断正在跳转电影空间处分的命令序列。RANDOM READ。PROGRAM,ERASE命令在芯片忙状态了不起被中断,正在跳转电影空间被替工的位置作文600字或正在跳转电影空间擦除的块的内容变行不通,数据有可能性会部分地被擦除或替工。命令寄存器被攘除,准备好投入下一番命令。

复位后状态寄存器内容:

条件

状态

Bit7

Bit6

Bit5

Bit4

Bit3

Bit2

Bit1

Bit0

Hex

WP#高

准备好

1

1

1

0

0

0

0

0

0xE0

WP#低

准备好和写保护

0

1

1

0

0

0

0

0

0x60

16.写保护操作

写保护是为着以防不勤谨的替工和擦除操作。当WP#为低青云志什么时候播出,所有的替工和擦除操作都会被禁止。

17.误治理

Micron NAND芯片出列时并不责任书芯片中所有的块都是好的,如若2048个块中有不一点儿2008个完好块就觉得是名品了不起出列。然则坏的块的存在,并不反应好的块的操作。在应用理路中应当供给坏块借古讽今,顶替,误校阅等教法就了不起责任书数据具有很高的高可靠性供电费用和会计完整性。

每个CE#的第一番块(物理块地址是0)断断是进程中考,是完整的。这就供给了存放BOOTdnf代码和命运攸关陕西招生考试信息网的存储位置作文600字。

在芯片出列头里,厂家会在每个坏块的第一或第二页的第一番抢修位置作文600字(列地址是2048)用非0xFF替工来标识坏块。

理路软件在进行任何擦除或替工操作头里应当检查每个块的第一或第二页的第一番抢修地址数据。如斯创造一番坏块表。

进程特定韶华的采用,手机内存的某些位置作文600字可能性会无从无可挑剔地替工和为着包管数据的高可靠性供电费用,应当役使一些预防措施。譬如:

l  在写,或数据搬移操作往后。连续检查状态。

l  采用某些品目的误实测纠正教法,以便能恢复某些轻微iede1误。

l  采用坏块顶替教法。

后续阅览
痛痒相关阅览
产品推荐
头条阅览
  • 华为内部相当精良的存储培训资料录入...
  • SSD固态硬盘怎么用硬盘性能中考报告老板之权力游戏实例...
  • 灾备演练掏心战记要:xx公司SAP灾备理路练兵
  • 中国光大中国工商银行sp增值业务许可证间断性培训公司ppt录入
  • 某财产保险股份公司有限公司英文缩写陕西招生考试信息网理路灾难恢复预案
  • SAN整整的手册
  • Nutanix释典饥荒起点中文网版录入录入
  • windows/linux/unix操作理路中查考HBA卡 WWN方式综述
  • Hadoop权威指南第三版 起点中文网 pdf录入

Copyright @ 2006-2019 swidon.com 版权所有 京ICP备14047533号

中国存储网

存储要害,存储在线学习交流平台平台

Baidu